REF3112AQDBZRQ1 TI
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REF3112AQDBZRQ1 TI
• AEC-Q100 calificado con los siguientes resultados:
– Rango de TA del dispositivo: –40 °C a 125 °C
– Dispositivo HBM Nivel de clasificación ESD H1C
– Dispositivo CDM Clasificación ESD Nivel C4A
• Alta precisión: 0,2% máximo
• Excelente rendimiento de deriva especificado:
– 20 ppm/°C (máximo) de –40 °C a +125 °C
• Alta corriente de salida: ±10 mA
• Baja caída: 5 mV
• Coeficiente intelectual bajo: 115 μA máximo
• Bajo nivel de ruido: 17 μVp-p/V
• No se requiere condensador de salida
• Opciones de voltaje disponibles: 1,2 V, 2 V, 2,5 V, 3 V, 3,3 V, 4 V
• Paquete MicroSize: SOT-23 de 3 pines
• AEC-Q100 calificado con los siguientes resultados:
– Rango de TA del dispositivo: –40 °C a 125 °C
– Dispositivo HBM Nivel de clasificación ESD H1C
– Dispositivo CDM Clasificación ESD Nivel C4A
• Alta precisión: 0,2% máximo
• Excelente rendimiento de deriva especificado:
– 20 ppm/°C (máximo) de –40 °C a +125 °C
• Alta corriente de salida: ±10 mA
• Baja caída: 5 mV
• Coeficiente intelectual bajo: 115 μA máximo
• Bajo nivel de ruido: 17 μVp-p/V
• No se requiere condensador de salida
• Opciones de voltaje disponibles: 1,2 V, 2 V, 2,5 V, 3 V, 3,3 V, 4 V
• Paquete MicroSize: SOT-23 de 3 pines
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