NTMFS4D2N10MDT1G EN

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Detalles del producto
Indagación
NTMFS4D2N10MDT1G EN

• Tecnología MOSFET de puerta blindada
• Bajo RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
• Bajo QG y capacitancia para minimizar las pérdidas del conductor
• QRR bajo, diodo de cuerpo de recuperación suave
• QOSS bajo para mejorar la eficiencia de la carga ligera
• Estos dispositivos están libres de Pb, libres de halógenos/BFR, libres de berilio y cumplen con RoHS
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