NTB110N65S3HF EN
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NTB110N65S3HF EN
• 700 V @ TJ= 150°C
• Tím. RDS(on)= 98 m
• Carga de puerta ultra baja (típicamente Qg= 62 nC)
• Baja capacitancia de salida efectiva (típica Coss(eff.)= 522 pF)
• 100% a prueba de avalanchas
• Estos dispositivos están libres de Pb y cumplen con RoHS
• 700 V @ TJ= 150°C
• Tím. RDS(on)= 98 m
• Carga de puerta ultra baja (típicamente Qg= 62 nC)
• Baja capacitancia de salida efectiva (típica Coss(eff.)= 522 pF)
• 100% a prueba de avalanchas
• Estos dispositivos están libres de Pb y cumplen con RoHS
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