NLV74VHC125DTR2G EN
| Disponible |
NLV74VHC125DTR2G EN
• Alta velocidad: tPD = 3,8 ns (típico) a VCC = 5 V
• Baja disipación de potencia: ICC = 4 A (máx.) a TA = 25 °C
• Alta inmunidad al ruido: VNIH = VNIL = 28% VCC
• Protección contra apagado en las entradas
• Retardos de propagación equilibrados
• Diseñado para un rango de funcionamiento de 2 V a 5,5 V
• Bajo nivel de ruido: VOLP = 0,8 V (máx.)
• Pin y función compatibles con otras familias lógicas estándar
• El rendimiento del enclavamiento supera los 300 mA
• Rendimiento ESD: modelo del cuerpo humano; > 2000 V,
Modelo de máquina; > 200 V
• Complejidad del chip: 72 FETs o 18 puertas equivalentes
• Prefijo NLV para aplicaciones automotrices y otras que requieren
Requisitos únicos de cambio de sitio y control; AEC−Q100
Calificado y con capacidad PPAP
• Estos dispositivos están libres de Pb, halógenos/BFR y son RoHS
Dócil
• Alta velocidad: tPD = 3,8 ns (típico) a VCC = 5 V
• Baja disipación de potencia: ICC = 4 A (máx.) a TA = 25 °C
• Alta inmunidad al ruido: VNIH = VNIL = 28% VCC
• Protección contra apagado en las entradas
• Retardos de propagación equilibrados
• Diseñado para un rango de funcionamiento de 2 V a 5,5 V
• Bajo nivel de ruido: VOLP = 0,8 V (máx.)
• Pin y función compatibles con otras familias lógicas estándar
• El rendimiento del enclavamiento supera los 300 mA
• Rendimiento ESD: modelo del cuerpo humano; > 2000 V,
Modelo de máquina; > 200 V
• Complejidad del chip: 72 FETs o 18 puertas equivalentes
• Prefijo NLV para aplicaciones automotrices y otras que requieren
Requisitos únicos de cambio de sitio y control; AEC−Q100
Calificado y con capacidad PPAP
• Estos dispositivos están libres de Pb, halógenos/BFR y son RoHS
Dócil
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