NCP81253MNTBG EN
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NCP81253MNTBG EN
• Paquete DFN8 mejorado térmicamente de 2 mm x 2 mm para ahorrar espacio
• Rango VCC de 4,5 V a 5,5 V
• Diodo de arranque interno
• Entrada PWM de 5 V y 3 etapas
• Capacidad de frenado de diodos a través del estado medio EN
• Circuito adaptativo de conducción cruzada que protege contra la conducción cruzada durante el encendido y apagado de FET
• El control de desactivación de salida apaga ambos MOSFET a través del pin de habilitación
• Bloqueo de subvoltaje VCC
• Estos dispositivos están libres de Pb, halógenos/BFR y cumplen con RoHS
• Paquete DFN8 mejorado térmicamente de 2 mm x 2 mm para ahorrar espacio
• Rango VCC de 4,5 V a 5,5 V
• Diodo de arranque interno
• Entrada PWM de 5 V y 3 etapas
• Capacidad de frenado de diodos a través del estado medio EN
• Circuito adaptativo de conducción cruzada que protege contra la conducción cruzada durante el encendido y apagado de FET
• El control de desactivación de salida apaga ambos MOSFET a través del pin de habilitación
• Bloqueo de subvoltaje VCC
• Estos dispositivos están libres de Pb, halógenos/BFR y cumplen con RoHS
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