NCP51510MNTAG EN
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NCP51510MNTAG EN
• Generar voltaje de terminación de memoria DDR (VTT)
• Para corrientes de fuente/sumidero DDR, DDR−2, DDR−3 y DDR−4
• Soporta cargas de hasta ±3 A (típico), la salida está protegida contra sobrecorriente
• MOSFET integrados con protección de apagado térmico
• Respuesta transitoria de carga rápida
• Pin de salida PGOOD para monitorear el estado de la regulación de salida VTT
• Pin de entrada SS para el modo de suspensión y apagado
• Referencia de entrada VRI para un seguimiento de voltaje flexible
• Entrada VTTS para teledetección (conexión Kelvin)
• Arranque suave incorporado, bloqueo de bajo voltaje
• Paquete DFN pequeño, de perfil bajo, 10 pines, 3 x 3 mm
• NCV51510MWTAG − Opción de flanco humectable para una inspección óptica mejorada
• Prefijo NCV para aplicaciones automotrices y otras aplicaciones que requieren requisitos únicos de cambio de sitio y control; Calificado AEC−Q100 y compatible con PPAP*
• Este es un dispositivo libre de Pb
• Generar voltaje de terminación de memoria DDR (VTT)
• Para corrientes de fuente/sumidero DDR, DDR−2, DDR−3 y DDR−4
• Soporta cargas de hasta ±3 A (típico), la salida está protegida contra sobrecorriente
• MOSFET integrados con protección de apagado térmico
• Respuesta transitoria de carga rápida
• Pin de salida PGOOD para monitorear el estado de la regulación de salida VTT
• Pin de entrada SS para el modo de suspensión y apagado
• Referencia de entrada VRI para un seguimiento de voltaje flexible
• Entrada VTTS para teledetección (conexión Kelvin)
• Arranque suave incorporado, bloqueo de bajo voltaje
• Paquete DFN pequeño, de perfil bajo, 10 pines, 3 x 3 mm
• NCV51510MWTAG − Opción de flanco humectable para una inspección óptica mejorada
• Prefijo NCV para aplicaciones automotrices y otras aplicaciones que requieren requisitos únicos de cambio de sitio y control; Calificado AEC−Q100 y compatible con PPAP*
• Este es un dispositivo libre de Pb
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