NCP4305ADR2G EN
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NCP4305ADR2G EN
• Control autónomo del rectificador síncrono en CCM, DCM y QR para aplicaciones flyback, forward o LLC
• Detección precisa de corriente cero secundaria verdadera
• Por lo general, 12 ns apagan el retardo desde la entrada de detección de corriente hasta el controlador
• Pin de detección de corriente resistente (hasta 200 V)
• Interfaz de disparo de apagado ultrarrápido/entrada de desactivación (7,5 ns)
• Tiempo de encendido mínimo ajustable
• Tiempo de apagado mínimo ajustable con detección de timbre
• Tiempo de encendido máximo ajustable para el control CCM del controlador QR primario
• Capacidad de autosincronización robusta mejorada
• Capacidad de sumidero de corriente máxima / unidad de fuente de 8 A / 4 A
• Rango de voltaje de funcionamiento hasta VCC = 35 V
• Modo automático de carga ligera y desactivación
• Abrazadera de accionamiento de puerta adaptable
• Capacidad de conducción de transistores GaN (opciones A y C)
• Bajo consumo de corriente de arranque y desactivación
• Frecuencia máxima de operación de hasta 1 MHz
• Paquetes SOIC-8 y DFN−8 (4x4) y WDFN8 (2x2)
• Estos son dispositivos libres de Pb
• Control autónomo del rectificador síncrono en CCM, DCM y QR para aplicaciones flyback, forward o LLC
• Detección precisa de corriente cero secundaria verdadera
• Por lo general, 12 ns apagan el retardo desde la entrada de detección de corriente hasta el controlador
• Pin de detección de corriente resistente (hasta 200 V)
• Interfaz de disparo de apagado ultrarrápido/entrada de desactivación (7,5 ns)
• Tiempo de encendido mínimo ajustable
• Tiempo de apagado mínimo ajustable con detección de timbre
• Tiempo de encendido máximo ajustable para el control CCM del controlador QR primario
• Capacidad de autosincronización robusta mejorada
• Capacidad de sumidero de corriente máxima / unidad de fuente de 8 A / 4 A
• Rango de voltaje de funcionamiento hasta VCC = 35 V
• Modo automático de carga ligera y desactivación
• Abrazadera de accionamiento de puerta adaptable
• Capacidad de conducción de transistores GaN (opciones A y C)
• Bajo consumo de corriente de arranque y desactivación
• Frecuencia máxima de operación de hasta 1 MHz
• Paquetes SOIC-8 y DFN−8 (4x4) y WDFN8 (2x2)
• Estos son dispositivos libres de Pb
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