NCP303150DMNTWG EN
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NCP303150DMNTWG EN
• Capaz de corrientes medias de hasta 50 A
• MOSFET de voltaje de ruptura de 30 V / 30 V para una mayor confiabilidad a largo plazo
• Paquete PQFN de alto rendimiento, huella universal, clip de cobre de 5 mm x 6 mm
• Capaz de conmutar a frecuencias de hasta 1 MHz
• Compatible con entrada PWM de 3,3 V o 5 V
• Responde correctamente a las entradas PWM de 3 niveles
• Monitoreo preciso de corriente
• Opción de detección de cruce por cero con PWM de 3 niveles
• Diodo de arranque interno
Detección de fallos catastróficos
♦ Bandera térmica (OTP) para condiciones de sobretemperatura
♦ Protección contra sobrecorriente FAULT (OCP)
♦ Bloqueo de bajo voltaje (UVLO) en VCC y PVCC
• Soporta Intel® Power State 4
• Capaz de corrientes medias de hasta 50 A
• MOSFET de voltaje de ruptura de 30 V / 30 V para una mayor confiabilidad a largo plazo
• Paquete PQFN de alto rendimiento, huella universal, clip de cobre de 5 mm x 6 mm
• Capaz de conmutar a frecuencias de hasta 1 MHz
• Compatible con entrada PWM de 3,3 V o 5 V
• Responde correctamente a las entradas PWM de 3 niveles
• Monitoreo preciso de corriente
• Opción de detección de cruce por cero con PWM de 3 niveles
• Diodo de arranque interno
Detección de fallos catastróficos
♦ Bandera térmica (OTP) para condiciones de sobretemperatura
♦ Protección contra sobrecorriente FAULT (OCP)
♦ Bloqueo de bajo voltaje (UVLO) en VCC y PVCC
• Soporta Intel® Power State 4
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