NCP1612ADR2G EN
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NCP1612ADR2G EN
• Factor de potencia casi unitario
• Modo de conducción crítica (CrM)
• Retroceso de frecuencia controlada por corriente (CCFF): la operación de baja frecuencia se fuerza a niveles de corriente bajos
• Modulación a tiempo para mantener una conformación de corriente adecuada en modo CCFF
• Modo de salto cerca de la línea Zero Crossing
• Compensación rápida de transitorios de línea/carga (Dynamic Response Enhancer)
• Encendido del valle
• Alta capacidad de accionamiento: −500 mA/+800 mA
• Rango VCC: de 9,5 V a 35 V
• Bajo consumo de puesta en marcha
• Seis versiones: NCP1612A, B, A1, A2, A3 y B2 (ver Tabla 1)
• Detección de rango de línea
• Señal pfcOK
• Este es un dispositivo libre de Pb
• Factor de potencia casi unitario
• Modo de conducción crítica (CrM)
• Retroceso de frecuencia controlada por corriente (CCFF): la operación de baja frecuencia se fuerza a niveles de corriente bajos
• Modulación a tiempo para mantener una conformación de corriente adecuada en modo CCFF
• Modo de salto cerca de la línea Zero Crossing
• Compensación rápida de transitorios de línea/carga (Dynamic Response Enhancer)
• Encendido del valle
• Alta capacidad de accionamiento: −500 mA/+800 mA
• Rango VCC: de 9,5 V a 35 V
• Bajo consumo de puesta en marcha
• Seis versiones: NCP1612A, B, A1, A2, A3 y B2 (ver Tabla 1)
• Detección de rango de línea
• Señal pfcOK
• Este es un dispositivo libre de Pb
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