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Detalles del producto
Indagación
NCD57084DR2G EN

• Corriente de salida de pico alto (+7 A/-7 A)
• Baja impedancia de salida para mejorar la conducción IGBT
• Retrasos de propagación cortos con coincidencia precisa
• Protección DESAT con retardo programable
• Capacidad de voltaje negativo (hasta -9 V) para DESAT
• Sujeción de la puerta IGBT durante cortocircuito
• Puerta IGBT Activo Desplegable
• Apagado suave durante un cortocircuito IGBT
• Umbrales UVLO estrictos para la flexibilidad del sesgo
• Evitación parcial del pulso de salida durante UVLO/DESAT (reinicio)
• Entrada lógica de 3,3 V, 5 V y 15 V
• Aislamiento galvánico de 2,5 kVrms
• Alta inmunidad transitoria
• Alta inmunidad electromagnética
• Prefijo NCV para aplicaciones automotrices y otras aplicaciones que requieren requisitos únicos de cambio de sitio y control; Calificado AEC−Q100 y compatible con PPAP
• Este dispositivo no contiene Pb, halógenos/BFR y cumple con RoHS
 
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