MC33174VDR2G EN
| Disponible |
MC33174VDR2G EN
• Baja corriente de alimentación: 180 A (por amplificador)
• Amplio rango de funcionamiento de alimentación: 3,0 V a 44 V o ±1,5 V a ±22 V
• Amplio rango de modo común de entrada, incluida la conexión a tierra (VEE)
• Ancho de banda amplio: 1,8 MHz
• Alta velocidad de respuesta: 2,1 V/s
• Voltaje de compensación de entrada bajo: 2.0 mV
• Gran oscilación de la tensión de salida: de -14,2 V a +14,2 V
(con ±Suministros de 15 V)
• Gran capacidad de impulsor de capacitancia: 0 pF a 500 pF
• Distorsión armónica total baja: 0.03%
• Excelente margen de fase: 60°
• Excelente margen de ganancia: 15 dB
• Protección contra cortocircuitos de salida
• Los diodos ESD proporcionan protección de entrada para dispositivos duales y cuádruples
• Prefijo NCV para aplicaciones automotrices y otras que requieren
Requisitos únicos de cambio de sitio y control; AEC−Q100
Calificado y con capacidad PPAP
• Estos dispositivos están libres de Pb, halógenos/BFR y cumplen con RoHS
• Baja corriente de alimentación: 180 A (por amplificador)
• Amplio rango de funcionamiento de alimentación: 3,0 V a 44 V o ±1,5 V a ±22 V
• Amplio rango de modo común de entrada, incluida la conexión a tierra (VEE)
• Ancho de banda amplio: 1,8 MHz
• Alta velocidad de respuesta: 2,1 V/s
• Voltaje de compensación de entrada bajo: 2.0 mV
• Gran oscilación de la tensión de salida: de -14,2 V a +14,2 V
(con ±Suministros de 15 V)
• Gran capacidad de impulsor de capacitancia: 0 pF a 500 pF
• Distorsión armónica total baja: 0.03%
• Excelente margen de fase: 60°
• Excelente margen de ganancia: 15 dB
• Protección contra cortocircuitos de salida
• Los diodos ESD proporcionan protección de entrada para dispositivos duales y cuádruples
• Prefijo NCV para aplicaciones automotrices y otras que requieren
Requisitos únicos de cambio de sitio y control; AEC−Q100
Calificado y con capacidad PPAP
• Estos dispositivos están libres de Pb, halógenos/BFR y cumplen con RoHS
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