MasterGaN1 ST

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Detalles del producto
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MasterGaN1 ST
 
  • Sistema en paquete de 600 V que integra controlador de compuerta de medio puente y transistores GaN de potencia de alto voltaje:
    • Paquete QFN 9 x 9 x 1 mm
    • RDS(ENCENDIDO)= 150 mΩ
    • YoDS(MAX)= 10 A
  • Capacidad de corriente inversa
  • Cero pérdidas de recuperación inversa
  • Protección UVLO en el lado bajo y en el lado alto
  • Diodo de arranque interno
  • Función de enclavamiento
  • Pin dedicado para la funcionalidad de apagado
  • Coincidencia precisa de tiempo interno
  • Entradas compatibles de 3,3 V a 15 V con histéresis y pull-down
  • Protección contra sobretemperatura
  • Reducción de la lista de materiales
  • Diseño muy compacto y simplificado
  • Diseño flexible, fácil y rápido.


 
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