LM74610QDGKRQ1 TI
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LM74610QDGKRQ1 TI
• Calificado para aplicaciones automotrices
• Calificación AEC-Q100 con los siguientes resultados: – Supera el nivel 2 de la clasificación ESD de HBM – Nivel de clasificación C4B del dispositivo CDM ESD
• Tensión inversa máxima de 45 V
• Sin limitación de voltaje positivo para el terminal del ánodo
• Controlador de compuerta de bomba de carga para MOSFET de canal N externo
• Menor disipación de potencia que las soluciones de diodo/PFET Schottky
• Baja corriente de fuga inversa
• Coeficiente intelectual cero
• Respuesta rápida de 2 μs a la polaridad inversa
• Temperatura ambiente de funcionamiento de -40 °C a +125 °C
• Se puede utilizar en aplicaciones de quirófano
• Cumple con CISPR25 especificación EMI
• Cumple con los requisitos transitorios de ISO7637 automotriz con un diodo TVS adecuado
• Sin límite de corriente máxima
• Calificado para aplicaciones automotrices
• Calificación AEC-Q100 con los siguientes resultados: – Supera el nivel 2 de la clasificación ESD de HBM – Nivel de clasificación C4B del dispositivo CDM ESD
• Tensión inversa máxima de 45 V
• Sin limitación de voltaje positivo para el terminal del ánodo
• Controlador de compuerta de bomba de carga para MOSFET de canal N externo
• Menor disipación de potencia que las soluciones de diodo/PFET Schottky
• Baja corriente de fuga inversa
• Coeficiente intelectual cero
• Respuesta rápida de 2 μs a la polaridad inversa
• Temperatura ambiente de funcionamiento de -40 °C a +125 °C
• Se puede utilizar en aplicaciones de quirófano
• Cumple con CISPR25 especificación EMI
• Cumple con los requisitos transitorios de ISO7637 automotriz con un diodo TVS adecuado
• Sin límite de corriente máxima
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