ISL78307FBEBZ-T Renesas
Disponible
ISL78307FBEBZ-T Renesas
• Optimizado para aplicaciones automotrices "siempre activas"
• Corriente de reposo típica de 18 μA
• Corriente de salida asegurada de 50 mA
• Funciona a través de un manivela fría de hasta 3 V
• Nivel lógico tolerante a 40 V (TTL/CMOS) para permitir la entrada
• 1,8 μA de corriente de apagado típica
• Bajo voltaje de caída de 120 mV a 50 mA
• Opciones de voltaje de salida fijo de +3,3 V, +5,0 V y ajustable
• Funcionamiento estable con condensador de salida de 10 μF
• Apagado térmico y protección de límite de corriente
• Rango de temperatura de funcionamiento de -40 °C a +125 °C
• Paquete SOIC de almohadilla expuesta de 8 Ld mejorada térmicamente
• Calificación AEC-Q100
• Clasificación HBM ESD de 6 kV
• Sin Pb (cumple con RoHS)
• Optimizado para aplicaciones automotrices "siempre activas"
• Corriente de reposo típica de 18 μA
• Corriente de salida asegurada de 50 mA
• Funciona a través de un manivela fría de hasta 3 V
• Nivel lógico tolerante a 40 V (TTL/CMOS) para permitir la entrada
• 1,8 μA de corriente de apagado típica
• Bajo voltaje de caída de 120 mV a 50 mA
• Opciones de voltaje de salida fijo de +3,3 V, +5,0 V y ajustable
• Funcionamiento estable con condensador de salida de 10 μF
• Apagado térmico y protección de límite de corriente
• Rango de temperatura de funcionamiento de -40 °C a +125 °C
• Paquete SOIC de almohadilla expuesta de 8 Ld mejorada térmicamente
• Calificación AEC-Q100
• Clasificación HBM ESD de 6 kV
• Sin Pb (cumple con RoHS)
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