IDW32G65C5B Infineon
Disponible
IDW32G65C5B Infineon
Revolucionario material semiconductor: carburo de silicio
Comportamiento de conmutación de referencia
Sin recuperación inversa/ Sin recuperación hacia adelante
Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
Alta capacidad de sobrecorriente
Recubrimiento de plomo sin Pb; Cumple con RoHS
Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo
Tensión de ruptura ensayada a 35 mA2) 3)
Optimizado para el funcionamiento a alta temperatura
Revolucionario material semiconductor: carburo de silicio
Comportamiento de conmutación de referencia
Sin recuperación inversa/ Sin recuperación hacia adelante
Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
Alta capacidad de sobrecorriente
Recubrimiento de plomo sin Pb; Cumple con RoHS
Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo
Tensión de ruptura ensayada a 35 mA2) 3)
Optimizado para el funcionamiento a alta temperatura
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