IDH02G65C5 Infineon

IDH02G65C5 Infineon
IDH02G65C5 INFINEON
IDH02G65C5 INFINEON
IDH02G65C5 INFINEON
IDH02G65C5 INFINEON

IDH02G65C5 INFINEON

Disponible
Enviar consulta
');*/ }); })
Detalles del producto
Indagación
IDH02G65C5 INFINEON

 Revolucionario material semiconductor: carburo de silicio
 Comportamiento de conmutación de referencia
 Sin recuperación inversa/ Sin recuperación hacia adelante
 Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
 Alta capacidad de sobrecorriente
 Recubrimiento de plomo sin Pb; Cumple con RoHS
 Calificado según JEDEC1) para aplicaciones objetivo
 Tensión de ruptura probada a 4,5 mA2)
 Optimizado para el funcionamiento a alta temperatura
"); });

Consejos para obtener cotizaciones precisas de los proveedores. Por favor Incluya el siguiente en su consulta:
1. Información personal o comercial
2. Proporcione la solicitud de productos con gran detalle
3. Consulta de MOQ, precio unitario, etc.

Asegúrese de que su información de contacto sea correcta. Usted El mensaje se enviará directamente al destinatario o destinatarios y no se ser exhibidos públicamente. Nunca distribuiremos ni venderemos su personal información a terceros sin Su permiso expreso.

Productos relacionados