FOD8342 EN
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FOD8342 EN
Características • FOD8342T Distancia de fuga y espacio libre de 8 mm, y distancia de aislamiento de 0,4 mm para lograr un aislamiento confiable y de alto voltaje • Capacidad de conducción de corriente de salida máxima de 3.0 A para IGBT / MOSFET ♦ de potencia media El uso de MOSFET de canal P en la etapa de salida permite la oscilación del voltaje de salida cerca del riel de suministro • Rechazo mínimo de modo común de 20 kV/s • Amplio rango de voltaje de suministro: De 10 V a 30 V • Velocidad de conmutación rápida en todo el rango de temperatura de funcionamiento 210 ♦ ns Retardo ♦ máximo de propagación Distorsión máxima del ancho de pulso de 65 ns • Bloqueo de bajo voltaje (UVLO) con histéresis • Rango de temperatura industrial ampliado: −40 °C a 100 °C • Aprobaciones de seguridad y reglamentarias: ♦ UL1577, 5.000 VRMS durante 1 minuto ♦ DIN EN/IEC60747−5−5, 1.140 V Tensión máxima de aislamiento de trabajo
Características • FOD8342T Distancia de fuga y espacio libre de 8 mm, y distancia de aislamiento de 0,4 mm para lograr un aislamiento confiable y de alto voltaje • Capacidad de conducción de corriente de salida máxima de 3.0 A para IGBT / MOSFET ♦ de potencia media El uso de MOSFET de canal P en la etapa de salida permite la oscilación del voltaje de salida cerca del riel de suministro • Rechazo mínimo de modo común de 20 kV/s • Amplio rango de voltaje de suministro: De 10 V a 30 V • Velocidad de conmutación rápida en todo el rango de temperatura de funcionamiento 210 ♦ ns Retardo ♦ máximo de propagación Distorsión máxima del ancho de pulso de 65 ns • Bloqueo de bajo voltaje (UVLO) con histéresis • Rango de temperatura industrial ampliado: −40 °C a 100 °C • Aprobaciones de seguridad y reglamentarias: ♦ UL1577, 5.000 VRMS durante 1 minuto ♦ DIN EN/IEC60747−5−5, 1.140 V Tensión máxima de aislamiento de trabajo
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