FDMS86300 EN
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FDMS86300 ON
- Máx. rDS(on)= 3,9 mo a Ves = 10 V, ID= 19 A
- Máx. 「Ds(on)= 5,5 m a Ves = 8 V, ID=15,5A
- Paquete avanzado y combinación de silicio para bajos rDs(on) y alta eficiencia
- Tecnología de diodos de cuerpo mejorada de próxima generación, diseñada para una recuperación suave
- Diseño de paquete robusto MSL1
- 100% probado por UIL
- Cumple con RoHS
- Máx. rDS(on)= 3,9 mo a Ves = 10 V, ID= 19 A
- Máx. 「Ds(on)= 5,5 m a Ves = 8 V, ID=15,5A
- Paquete avanzado y combinación de silicio para bajos rDs(on) y alta eficiencia
- Tecnología de diodos de cuerpo mejorada de próxima generación, diseñada para una recuperación suave
- Diseño de paquete robusto MSL1
- 100% probado por UIL
- Cumple con RoHS
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