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Detalles del producto
Indagación
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Funciones
Tecnología MOSFET de puerta blindada
Max rDs(on)= 22 mo a Vcs = 10 V, lp= 8AMax 「os(on)= 31 m a Vcs = 6 V, lp=6.5A100% UIL probado
Cumple con RoHS
Descripción general
Este MOSFET de canal N se produce utilizando el proceso PowerTrench avanzado de Fairchild Semiconductors que incorpora la tecnología de puerta blindada. Este proceso se ha optimizado para la resistencia en estado encendido y, sin embargo, mantiene un rendimiento de conmutación superior.
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