CY15B064Q-SXET CIPRÉS
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CY15B064Q-SXET CIPRÉS
■ Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico de 64 Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 8K × 8
❐ Alta resistencia: 10 billones (1013) de lectura/escritura
❐ Retención de datos de 121 años (consulte Retención y resistencia de datos en la página 12)
❐ Escrituras sin demora™
❐ Proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
■ Interfaz periférica serie (SPI) muy rápida
❐ Frecuencia de hasta 16 MHz
❐ Reemplazo directo de hardware para flash serie y EEPROM
❐ Admite el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1)
■ Sofisticado esquema de protección contra escritura
❐ Protección de hardware mediante el pin Write Protect (WP)
❐ Protección de software mediante la instrucción Write Disable
❐ Protección de bloques de software para 1/4, 1/2 o matriz completa
■ Bajo consumo de energía
❐ 300
A corriente activa a 1 MHz ❐ 6
A (típica) corriente de espera a +85 C
■ Funcionamiento a baja tensión: VDD = 3,0 V a 3,6 V
■ Temperatura de automoción E: de –40 C a +125 C
■ Paquete de circuito integrado de contorno pequeño (SOIC) de 8 pines
■ Cumple con AEC Q100 Grado 1
■ Cumple con la restricción de sustancias peligrosas (RoHS)
■ Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico de 64 Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 8K × 8
❐ Alta resistencia: 10 billones (1013) de lectura/escritura
❐ Retención de datos de 121 años (consulte Retención y resistencia de datos en la página 12)
❐ Escrituras sin demora™
❐ Proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
■ Interfaz periférica serie (SPI) muy rápida
❐ Frecuencia de hasta 16 MHz
❐ Reemplazo directo de hardware para flash serie y EEPROM
❐ Admite el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1)
■ Sofisticado esquema de protección contra escritura
❐ Protección de hardware mediante el pin Write Protect (WP)
❐ Protección de software mediante la instrucción Write Disable
❐ Protección de bloques de software para 1/4, 1/2 o matriz completa
■ Bajo consumo de energía
❐ 300
A corriente activa a 1 MHz ❐ 6
A (típica) corriente de espera a +85 C
■ Funcionamiento a baja tensión: VDD = 3,0 V a 3,6 V
■ Temperatura de automoción E: de –40 C a +125 C
■ Paquete de circuito integrado de contorno pequeño (SOIC) de 8 pines
■ Cumple con AEC Q100 Grado 1
■ Cumple con la restricción de sustancias peligrosas (RoHS)
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