CY15B064Q-SXE Infineon
Disponible
CY15B064Q-SXE Infineon
Funciones
■ Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico de 64 Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 8K × 8
❐ Alta resistencia: 10 billones (1013) de lectura/escritura
❐ Retención de datos de 121 años (consulte la tabla Retención de datos y resistencia) ❐ Escrituras sin demora™
❐ Proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad ■ Interfaz periférica en serie (SPI) muy rápida
❐ Frecuencia de hasta 16 MHz
❐ Reemplazo directo de hardware para flash serie y EEPROM
❐ Admite el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1)
■ Sofisticado esquema de protección contra escritura
❐ Protección de hardware mediante el pin Write Protect (WP)
❐ Protección de software mediante la instrucción Write Disable
❐ Protección de bloques de software para 1/4, 1/2 o matriz completa ■ Bajo consumo de energía
❐ 300
A corriente activa a 1 MHz
❐ 6 A (típico) corriente de espera a +85
C
■ Funcionamiento a baja tensión: VDD = 3,0 V a 3,6 V
■ Temperatura del automóvil E: –40
C hasta +125 C
■ Paquete de circuito integrado de contorno pequeño (SOIC) de 8 pines
■ Cumple con AEC Q100 Grado 1
■ Cumple con la restricción de sustancias peligrosas (RoHS)
Funciones
■ Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico de 64 Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 8K × 8
❐ Alta resistencia: 10 billones (1013) de lectura/escritura
❐ Retención de datos de 121 años (consulte la tabla Retención de datos y resistencia) ❐ Escrituras sin demora™
❐ Proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad ■ Interfaz periférica en serie (SPI) muy rápida
❐ Frecuencia de hasta 16 MHz
❐ Reemplazo directo de hardware para flash serie y EEPROM
❐ Admite el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1)
■ Sofisticado esquema de protección contra escritura
❐ Protección de hardware mediante el pin Write Protect (WP)
❐ Protección de software mediante la instrucción Write Disable
❐ Protección de bloques de software para 1/4, 1/2 o matriz completa ■ Bajo consumo de energía
❐ 300
A corriente activa a 1 MHz
❐ 6 A (típico) corriente de espera a +85
C
■ Funcionamiento a baja tensión: VDD = 3,0 V a 3,6 V
■ Temperatura del automóvil E: –40
C hasta +125 C
■ Paquete de circuito integrado de contorno pequeño (SOIC) de 8 pines
■ Cumple con AEC Q100 Grado 1
■ Cumple con la restricción de sustancias peligrosas (RoHS)
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