BAS516,115 NXP

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Detalles del producto
Indagación
BAS516,115 NXP


• Alta velocidad de conmutación: trr ≤ 4 ns
• Baja capacitancia
• Baja corriente de fuga
• Voltaje inverso: VR ≤ 100 V
• Pequeño paquete de plástico SMD
• Voltaje inverso pico repetitivo: VRRM ≤ 100 V
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