TDA75610SEP-HLX ST ST
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TDA75610SEP-HLX ST
Características Tecnología BCD de potencia múltiple Etapa de potencia de salida MOSFET Salida de potencia DMOS Alta eficiencia (clase SB) Alta capacidad de potencia de salida 4 x 25 W/4 @ 14.4 V, 1 kHz, 10% THD, 4 x 45 W Potencia máxima 2 Capacidad de conducción (64 W Potencia máxima) Conducción completa del bus IC C: Standby Delantero/trasero independiente soft play/mute Ganancia seleccionable 26 dB /16 dB (para la función de salida de línea de bajo ruido) Alta eficiencia habilitar/deshabilitar el bus I C digital diagnóstico (incluida la detección de carga de CC y CA) Detección flexible de fallos mediante diagnóstico integrado Detección de desplazamiento de CC Cuatro protecciones independientes contra cortocircuitos Pin detector de recorte con umbral seleccionable (2 %/10 %) Pin de espera/silencio Apagado térmico lineal con advertencia térmica múltiple Protección ESD Muy robusto contra fallos de conexión Supresión de SVR mejorada durante los transitorios de la batería
Características Tecnología BCD de potencia múltiple Etapa de potencia de salida MOSFET Salida de potencia DMOS Alta eficiencia (clase SB) Alta capacidad de potencia de salida 4 x 25 W/4 @ 14.4 V, 1 kHz, 10% THD, 4 x 45 W Potencia máxima 2 Capacidad de conducción (64 W Potencia máxima) Conducción completa del bus IC C: Standby Delantero/trasero independiente soft play/mute Ganancia seleccionable 26 dB /16 dB (para la función de salida de línea de bajo ruido) Alta eficiencia habilitar/deshabilitar el bus I C digital diagnóstico (incluida la detección de carga de CC y CA) Detección flexible de fallos mediante diagnóstico integrado Detección de desplazamiento de CC Cuatro protecciones independientes contra cortocircuitos Pin detector de recorte con umbral seleccionable (2 %/10 %) Pin de espera/silencio Apagado térmico lineal con advertencia térmica múltiple Protección ESD Muy robusto contra fallos de conexión Supresión de SVR mejorada durante los transitorios de la batería
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